第412章 单光子探测器（上）（2/2）

请关闭浏览器的阅读/畅读/小说模式并且关闭广告屏蔽过滤功能，避免出现内容无法显示或者段落错乱。

但信号不对。

暗计数不是降了，是升了。1500赫兹。比老结构还高。

方明华的脸沉了下来。

“界面态。”他说，“分离区的界面态比预想的多了一个数量级。电子在界面处被俘获，然后释放，产生的噪声比雪崩信号还大。”

秦念接到电话的时候，正在西昌出差。

“方老师，不要急。界面态的问题，用‘电荷层’方案试试。”

“试过了。电荷层的掺杂浓度怎么都控不准。MOCVD设备的均匀性不够。”

秦念沉默了几秒。

“我去协调。中科院半导体所有一台新的MOCVD，均匀性比你们的好。我跟他们打个招呼，你去用。”

第二次流片，又用了三个月。

这一次，暗计数降到了800赫兹，但还是不够。探测效率只有8%，离20%的目标差得远。

方明华在电话里的声音很疲惫。

“秦总师，吸收区和倍增区的厚度比例不对。我们算了十几种组合，都不理想。”

“我来看看。”

秦念飞到北京，直接去了半导体所。

她站在测试台前，看着那些数据，启动了“微观结构洞察”。

视野穿过芯片的表面，进入内部。她看到了吸收区——InGaAs层的厚度是1.5微米。她看到了倍增区——InP层的厚度是0.8微米。

“比例不对。”她说，“吸收区太薄了。光子还没被完全吸收，就穿过去了。探测效率当然低。”

“加厚吸收区？”

“对。加到2.5微米。但加厚之后，载流子输运时间变长，响应速度会下降。所以倍增区也要加厚，保持电场强度。”

方明华在笔记本上飞快地算着。

“吸收区2.5微米，倍增区1.2微米……这个比例，理论上探测效率能到25%。”

“那就做。”

第三次流片。

方明华站在测试台前，手指悬在启动键上方，迟迟没有按下去。

秦念站在他旁边。

“方老师，怕了？”

“怕。”方明华说，“前两次都失败了。这次如果再失败，我没脸见您。”

“失败了我也不会吃了你。”秦念说，“按吧。”

方明华深吸一口气，按下了启动键。

测试开始了。探针卡接触芯片，电压一点一点地加上去。示波器上的信号开始跳动。

暗计数：80赫兹。

方明华的手抖了一下。

探测效率：22%。

他的眼眶红了。

“秦总师，成了。”

秦念看着那些数字，沉默了三秒。

“方老师，您辛苦了。”

方明华摘下眼镜，用手背擦了擦眼睛。

“秦总师，您知道吗？这玩意儿做出来之后，我给一个国际同行发了封邮件，告诉他我们的结果。他回了一句话——‘你们中国人，是不是作弊了？’”

秦念皱起眉头。

“你怎么回的？”

方明华笑了。

“我说——‘我们中国人，不作弊。我们只是比你们更拼命。’”