第187章 锗晶体管？不，硅单晶管才是未来！（2/2）

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屋里安静了一会儿，众人齐齐沉默地低头思索。

过了好半晌，慈主任这才率先开口，打破屋内的平静

：“你说的温度问题，我们确实已经感觉到了。”

“现在锗管在室温下还行，可手一捂热，参数就飘。将来要是上舰、上雷达，舱里温度高，恐怕更麻烦。”

另一个工程师接话：

“氧化物那一点我也担心。锗的氧化层遇水就不稳，器件表面总得像伺候病人一样包着。硅的二氧化硅要是真能长住，确实能省很多事。”

柳教授没有立刻表态，而是问：

“可硅单晶比锗难拉，扩散、外延、平面工艺也更复杂。我们现在的条件，能同时顾两头吗？”

林言连忙说：“柳教授，我不是说现在就停掉锗。我的意思是，锗先走，硅先备。”

“比如单晶炉能不能既拉锗，也预留拉硅的条件？气路净化能不能按更高要求做？测试台能不能把温度漂移、高温老化这些项加进去？”

“还有，氧化、光刻、扩散这些工艺，哪怕现在做不了，也可以先查资料、搭架子。”

他顿了顿，又补充：

“尤其是二氧化硅。国外资料里提到，硅表面热氧化后能长出稳定的氧化层，既能保护结面，又能当扩散掩模。这个方向如果早点跟上，将来做平面管之类的，可能就有基础了。”

还有一点他没有说，以后的集成电路都是由硅平面管发展而成的，而锗合金晶体管天然做不了集成电路。

所以为了后续的发展，现在就必须打好硅管的晶体基础。

柳教授听后连连点头：“这个主意不错，我赞成。气路和净化如果按硅的要求做，锗管也能受益。炉子温区如果标定得细，将来做扩散、氧化、外延都用得上。”

听到他俩的话，慈主任先是点点头，又犹豫道：“可是硅晶体管的项目，工艺实在是难啃，而且花费资源可能也不低，要是同时两步一起进行的话，这资源消耗……”

林言听到是资金消耗问题，连忙松了口气：“只要不是技术问题便可，资金方面我已经打好报告，各位大佬尽管放心。”

“另外，过段时间我会再整理一些国外硅工艺的资料，尤其是单晶生长、热氧化、扩散、外延这几块。不过具体能不能落地，还得靠各位把关。”

当然，所谓的国外硅工艺资料都是虚假的，这时候基本上都已经被各大实验室给锁死，不可能外传。

而系统的知识林言又没法解释来源，并且需要林言自己学习掌握透彻后才能书写，所以林言只能假借外国资料+自己整理的理由，将这些硅工艺资料拿出来。

慈主任摆摆手：“你尽管拿来。我们也不是老古董，新技术来了，能学就学。不过小林，你要记住，锗要抓稳，硅要早看，但不能贪多。咱们这间实验室刚立起来，步子太散，反而会摔。”

林言认真点头：

“我明白。我的想法是：锗合金管继续攻关，先把第一批量产条件做出来；同时把实验室的气路、炉子、测试、记录按硅工艺要求往前留一步。比如净化等级提高一点，炉子分区时考虑氧化和扩散，测试里加上高温老化。这样锗不耽误，硅也不落下。”

柳教授笑道：“嗯，咱们两条腿走路，就是稳。就算今后锗这条路走不通，咱们也凭借着这一步步的脚印，把未来的基础都一个个打好了。”

那天晚上，试验间灯火通明。

有人拆气路，有人洗石英舟，有人擦拭台面，有人重新标定热电偶。

林言没有站在旁边指挥，而是跟着柳教授一起查管路接头，又和电路组学生一起核对测试表。他还把自己从系统资料库里韩来的的几页资料拿出来供大家参考，并且讨论着硅单晶生长和热氧化之类的技术细节。

接下来的几天，实验室按照林言所说的那般，开始往锗硅双材料方向发展，并且继续进行改造升级，预计明年的时候差不多彻底建成。

而林言在和慈主任他们进行一番交流后，便选择离开哈军工，双方约定好等明年实验室彻底建成后，他便再次登门交流。

林言准备这段时间先完成和其他大佬们的约定，包括各种轻工业的技术共享事情，并抽空多学些硅晶体管方面的知识，等到明年硅管线彻底落成后，他便来纠正大佬们关于锗晶体管的研究方向，并且全身心投入到硅晶体管乃至芯片方面的研究。

至于芯片的作用：

雷达声呐，火控系统，导弹制导，航空电子、舰船电子、电子对抗，军用通信、航空卫星......

国之重器啊！！！