第169章 抢占EUV光刻机配套专利！（2/2）

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但是韩文韬记得……前世盘点阿斯麦的时候，EUV光刻机是2002年，也就是今年才取得突破。

制作出第一台工程样机。

这一台样机，只是用来验证技术的，根本没办法使用。

真正第一台EUV光刻机发布，是2001年！

真正交付第一台EUV光刻机是2013年。

真正使用上EUV光刻机的，是台电的16纳米Fi工艺。

大规模使用EUV光刻机是2017年的7n工艺，以及后续的5n工艺！

“要不弯道超车？从KrF光刻机跳到EUV光刻机？”

“资金不是问题，技术有些问题……但投入海量资金情况下，加上时间是能解决的……最重要的是专利！！！”

“还有多重曝光技术的专利！”

“这时候还没人去研究EUV的光刻胶吧？专利都可以先占着！”

对于别人来说，从从KrF光刻机，跳到EUV光刻机？

KrF光刻机还在0.8u，中间隔了0.5u、0.35u、0.25u、0.18u、0.13u……甚至今年90n！

仅仅是光源系统：从0.8微米时代主要用g-le（436纳米波长）汞灯；到而0.13微米必须使用KrF（248纳米波长）准分子激光器。

真正纳米级支撑，还得ArF（193纳米）！

这其中不仅仅是光源的变化，还有整套物镜系统的变化。

然后面临经费问题……直接从KrF光刻机，跳到EUV光刻机，需要多少年？

阿斯麦第一台验证机到交付，近20年的时间！

没有任何一家公司，十几二十年不要营收和利润，投入千亿美刀的海量资金，去研究一个项目！

但是对于韩文韬来说，其实还好！

资金问题，最不用担心。

EUV的核心部件：光学系统、物镜系统、工作台。

光源方面，目前主流是248n的KrF氟化氪，以及193n的ArF氟化氩准分子激光器。

光学系统是由20-30枚超大尺寸镜片组成，需要以原子级精度（亚纳米级）对准，且镜片内部应力必须完全消除。

韩文韬可以使用“原子重组”的能力，制造出无缺陷的单晶氟化钙。

这是深紫外激光的核心晶体，其内部晶格完美，能让激光的透过率和稳定性达到极限。

对于光学镜片，他能消除石英玻璃内部的微气泡和应力，通过在原子精度排布硅和氧原子，制造出非球面镜片，提前解决球面像差问题。

至于工作台，他可以用极限工艺，打造出刚性达到理论极限的工件台，让晶圆在纳米级运动中稳如泰山。

所以整个EUV光刻机，没有想象中那么难。

难度肯定是有的。

而且，整个晶圆厂需要的，也不仅仅EUV光刻机。

还有全套EUV光刻机制造芯片的零部件和材料。

都是需要研究，都需要时间。

不过，他前世盘点顶尖科技企业和科技技术……即便他对光刻机不了解，也看过EUV光刻机的相关介绍和视频。

看到过光刻机运行！

仅仅是这些视频里，他结合目前自己学的内容，就能看到：钼硅多层反射膜配方、镀膜工艺专利、锡滴等离子光源结构专利、EUV真空运动台结构专利、EUV掩膜缺陷检测专利等等！！！

一系列的专利都可以提前申请！

现在这个时候，全球对EUV研究还在推进，样机都没造出来。

更别说细分专利里！

这个时候，EUV专利还没完全锁死，韩文韬可以抢占专利，避免被米帝EUV联盟的专利锁死。

有专利在手，再去研究EUV光刻机，以及配套刻蚀机、薄膜沉积设备、光刻气体、光刻胶等等。

花时间也无所谓，最少专利不会在研究这些设备的时候，被锁死！

以至于研究出来的EUV光刻机没法用。

甚至……有这些专利在手，韩文韬还能反过来卡阿斯麦EUV光刻机的专利。

甚至延迟阿斯麦EUV光刻机的研究。

阿斯麦在发现EUV光刻机专利被注册的情况下，必然要想办法解决……购买专利？

还是避开专利？

购买？

不可能，除非交叉授权！

避开？

就需要大量的时间，那阿斯麦原来的EUV研发、上市时间就会延后。

说不定最后，东大国产EUV光刻机，比阿斯麦还先推出！

韩文韬先打了个电话到‘前沿科学实验室’。

让宋海山整理相关的资料，等他从锦湖这边过去，就开始弄EUV光刻机相关专利。

不管能不能把EUV光刻机搞出来，先把专利占着！！